現(xian)在(zai)無線網充電器的(de)(de) Qi 標準化平率(lv)(lv)在(zai) 100-200k 相(xiang)互。在(zai)這里幾率(lv)(lv)下，納米(mi)晶(jing)的(de)(de)磁(ci)導率(lv)(lv)比較相(xiang)近鈷基非(fei)晶(jing)的(de)(de)磁(ci)導率(lv)(lv)，強烈多(duo)于鐵(tie)基非(fei)晶(jing)和鐵(tie)氧體的(de)(de)磁(ci)導率(lv)(lv)。恰恰相(xiang)反，衰減顯著高于鐵(tie)基非(fei)晶(jing)和鐵(tie)氧體。

微米結晶(jing)在熱度使用(yong)中也(ye)具備有的優勢。奈(nai)米級晶(jing)一方面在廣泛(fan)應用(yong)工作溫度上比鈷基(ji)非晶(jing)和鐵(tie)(tie)氧體更寬，但(dan)是在-40℃-120℃體的空間內奈(nai)米級晶(jing)的穩判(pan)定高性也(ye)很深相對(dui)比較(jiao)鐵(tie)(tie)氧體。

納米晶體在磁性材料的設計上也有明顯的優勢。納(na)米技術尖(jian)晶石是可以(yi)(yi)方向控制(zhi)磁(ci)導率和抗飽和狀(zhuang)態磁(ci)場強度。納(na)米晶的滲透工作會更率可在1000-30000范疇內同一調(diao)節器。吸引(yin)力的材料(liao)的開發要在其(qi)他的本職工作工作電流下(xia)，不可以(yi)(yi)達到(dao)磁(ci)飽和點。己經(jing)超過磁(ci)呈(cheng)現飽和狀(zhuang)態，它將(jiang)終止上班(ban)。納(na)米級(ji)晶可以(yi)(yi)調(diao)節抗飽滿磁(ci)感(gan)線相當于30~350A/m，使有線e充電的app超范圍更廣。

幾種鐵基納米晶與鐵基非晶、鈷基非晶和鐵氧體的比較：飽(bao)合磁通黏度：鐵基納米級(ji)晶很深高(gao)于鈷基，但偏低于鐵基非晶和鐵氧(yang)體(ti)；

納米晶(jing)在矯(jiao)頑力(li)、默認磁導率、飽滿磁致折疊彈性系數、居里溫度(du)表、功能(neng)變率等管理方面均遠遠高于其它(ta)資料(liao)。那么，微米晶(jing)是盡量的軟磁用料(liao)。

納米晶的發展趨勢

伴隨電子器件(jian)物料向高(gao)(gao)工(gong)作頻(pin)率(lv)化(hua)、能(neng)(neng)源管(guan)理化(hua)、小(xiao)規(gui)格尺寸化(hua)、智(zhi)能(neng)(neng)家居(ju)控制(zhi)化(hua)方(fang)法(fa)快速發展(zhan)，采(cai)用工(gong)作頻(pin)率(lv)也(ye)(ye)越變越高(gao)(gao)，燈(deng)條(tiao)也(ye)(ye)在(zai)一批代(dai)更(geng)換(huan)換(huan)代(dai)。從初始的(de)強度(du)為22-30μm的(de)老式制(zhi)帶(dai)施工(gong)工(gong)藝（現有在(zai)國內(nei)生育橫向），現如今的(de)粘膠帶(dai)早已經發展(zhan)到其次代(dai)和第(di)七(qi)代(dai)。優(you)秀的(de)制(zhi)帶(dai)加工(gong)制(zhi)作工(gong)藝 （國外(wai)優(you)秀產(chan)出橫向）相當于到14-22μm。并熟知了更(geng)薄(bo)的(de)制(zhi)帶(dai)高(gao)(gao)技術(shu)。納米技術(shu)晶帶(dai)的(de)轉型上升(sheng)趨勢(shi)是薄(bo)型帶(dai)。

超薄納米晶焊帶特性：焊帶越薄，損耗越低。

改制了導磁片的實現(xian)(xian)量產加工(gong)工(gong)藝(yi)。自2009年導磁片實現(xian)(xian)量產至今以來，加工(gong)工(gong)藝(yi)迅(xun)速改變，急劇從片材淡入(ru)到電磁鐵(tie)，極大程度(du)上挺高了生產銷售使用率(lv)，足夠了逐漸的增長的業(ye)務需求。